PublishEstás aquí: Casa » Products » Componentes y sistemas electrónicos » Componentes activos » transistores

Diodo de alto voltaje
Original
precio: Negotiable
mínimo:
Suministro total:
Plazo de entrega: The date of payment from buyers deliver within days
asiento: Shanghai
Validez a: Long-term effective
última actualización: 2020-12-16 12:40
Examinar el número: 411
inquiry
Perfil de la compañía
 
 
Detalles del producto

Diodo de alto voltaje

Diodo de alto voltaje, es un diodo especial para el desarrollo de aparatos eléctricos, su voltaje inverso de 2KV a 2.8kv, resuelve eficazmente el problema tradicional de escasez de voltaje del diodo.


Especificaciones

Marca: YINT

Min. Orden: 1 pieza

Certificación: RoHS

Embalaje: en carrete

Baja fuga inversa

Capacidad de alta corriente de sobretensión

La construcción utiliza una técnica de plástico moldeado sin huecos

Soldadura a alta temperatura garantizada: 260 C / 10 segundos, 0.375 ”(9.5 mm) de longitud del cable, 5 lbs. (2,3 kg) tensión

El paquete de plástico lleva la clasificación de inflamabilidad de Underwriters Laboratory 94V-0


Datos mecánicos

Caso: SMA

Terminales: Soldable según MIL-STD-750, método 2026

Polaridad: la banda de color indica el extremo del cátodo

Peso: 0.012 onzas, 0.33 gramos


Clasificaciones máximas y características eléctricas

Clasificaciones a 25 ° C de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contrario. Media onda monofásica de 60 Hz, carga resistiva o inductiva, para reducción de corriente de carga capacitiva en un 20%.

Parámetro Simbolos HD513 HD516 HD520 HD528 Unidades
Voltaje inverso pico máximo repetitivo VRRM 1600 1800 2000 2800 V
Voltaje RMS máximo VRMS 1120 1260 1400 1960 V
Voltaje máximo de bloqueo de CC Vcorriente continua 1600 1800 2000 2800 V
Corriente rectificada directa media máxima
Longitud del cable de 0,375 ”(9,5 mm) a TA=75 C		 IF (AV) 1 A
Pico de sobretensión directa 8,3 ms media onda sinusoidal única superpuesta a la carga nominal (método JEDEC) IFSM 30 A
Voltaje directo instantáneo máximo a 1 A VF GG lt; 2 V
Corriente inversa CC máxima=25 ° C
a voltaje de bloqueo de CC nominal=125 ° C		 IR 5
50		 μA
Capacitancia de unión típica1 Cj 15 pF
Resistencia térmica típica2 RθJA 50 ℃/W
Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento TJ,TSTG -55 ~ +150 ℃

1. Medido a 1 MHz y voltaje inverso aplicado de 4 VD.C

Resistencia térmica desde la unión al ambiente a 0.375 ”(9.5 mm) de longitud del cable, montado en PCB


http://es.yint-diodes.com/

Total 0 Bar [Ver todos]  Comentarios relacionados
 
Más»Otros productos
Diodo de alto voltaje Supresor de ESD PGB0603 Supresores de sobretensión de tiristores PXXXL DO-15 / DO-27 Diodo SOT-363 ESD Diodos DFN ESD

[ Products buscar ] [ Favoritos ] [ Decirles a los amigos ] [ Impresión ] [ Cerca ]